流体解析ソフトウェア
Advance/FrontFlow/red
CVD(Chemical Vapor Deposition)プロセスの解析事例として、SiF4(四フッ化ケイ素)と NH3(アンモニア)のガスを吹き付けて、基板表面上に Si と N が沈着する過程を解析しました。
| 項目 | 設定 |
|---|---|
| 初期設定 | 四フッ化ケイ素50% |
| 雰囲気温度 | 300℃ |
| 基板表面温度 | 1440度 |
| 化学反応モデル | 反応モデル(ガス反応: 33 反応式, 17 化学種, 表面反応: 6 反応式, 6 化学種) |
| 反応速度 | CHEMKIN® |


塗料に窒素ガスを吹き付けて乾燥させる過程を解析しました。

